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首頁進口晶振SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振

SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振

產品型號：24942772
頻率：32.768KHZ
尺寸：1.5*0.8mm
產品介紹：硅MEMS計時裝置的性能繼續迅速改善,并超過了基于石英的定時裝置的性能.硅制造技術生產具有亞微米特征和納米精度的設備.MEMS諧振器是在硅晶圓中制造的,它的改進是由...

SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振,硅MEMS計時裝置的性能繼續迅速改善,并超過了基于石英的定時裝置的性能.硅制造技術生產具有亞微米特征和納米精度的設備.MEMS諧振器是在硅晶圓中制造的,它的改進是由更精細的幾何圖形制成的.
貼片晶振晶片邊緣處理技術：貼片晶振是晶片通過滾筒倒邊，主要是為了去除石英晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動了不穩定。

項目	符號	規格說明	條件
輸出頻率范圍	f₀	32.768KHZ	請聯系我們以便獲取其它可用頻率的相關信息
電源電壓	V_CC	1.2 V to 3.63 V	請聯系我們以了解更多相關信息
儲存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -20℃ to +70℃	請聯系我們查看更多資料http://www.lh1288.net
		H: -40℃ to +85℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無負載條件、最大工作頻率
待機電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動時間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

SiTime晶振產品線路焊接安裝時注意事項
耐焊性：
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品。如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品。在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間。同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查。如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息。
（1）柱面式產品和DIP產品

晶振產品類型	晶振焊接條件
插件晶振型,是指石英晶振采用引腳直插模式的情況下比如：橢圓形引腳插件,圓柱晶體引腳插件	手工焊接+300°C或低于3秒鐘請勿加熱封裝材料超過+150°C
SMD型貼片晶振,是指石英晶振采用SMT高速焊接,或者回流焊接情況下,有些型號晶振高溫可達260°,有些只可達230°	+260°C或低于@最大值 10 s 請勿加熱封裝材料超過+150°C

(2)SMD產品回流焊接條件圖
用于JEDEC J-STD-020D.01回流條件的耐熱可用性需個別判斷。請聯系我們以便獲取相關信息。SiTime晶振,OSC晶振,SiT1532晶振

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