常見(jiàn)問(wèn)題

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首頁(yè)進(jìn)口晶振 Shinsung晶振Shinsung晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振

Shinsung晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振

產(chǎn)品型號(hào)：55839850
頻率：0.75~75MHZ
尺寸：2.5*2.0MM
產(chǎn)品介紹：Shinsung晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TS...

Shinsung晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
Shinsung晶振公司發(fā)展歷程如下：
1990年的Aug.1999成立Shinsung SAW Electronics Co.
1999年12月開(kāi)始生產(chǎn)晶體和振蕩器（osc，vcxo）,12月開(kāi)始制造TCXO
2000年1月完成高頻VCXO （100MHz以上）的開(kāi)發(fā)
Mar.2001開(kāi)始開(kāi)發(fā)SMD OSC和Crystal
Jul.2002開(kāi)始批量生產(chǎn)可編程振蕩器
Jun.2005SMD生產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)張和樓宇自動(dòng)化
2006年8月開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD OSC和X-Tal（7050,5032尺寸）
2007年2月完成SMD VCXO（7050,5032尺寸）的開(kāi)發(fā)
Aug.2009完成SMD Crystal（3225尺寸）的開(kāi)發(fā),12月成SMD VCTCXO（5032尺寸）的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD VCXO（7050,5032尺寸）
2010年1月完成SMD振蕩器（3225尺寸）的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD水晶（3225尺寸）,2月完成SMD LVPECL振蕩器,（7050尺寸）的開(kāi)發(fā).3月在800MHz頻段,（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL OSC的開(kāi)發(fā).
2010年4月在800MHz頻段（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL VCXO的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD振蕩器（3225尺寸）,開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD LVPECL振蕩器（7050尺寸）
2011年2月完成SMD VCTCXO（3225尺寸）的開(kāi)發(fā)
AUG.2011開(kāi)始生產(chǎn)SMD VCTCXO（3225尺寸）Mar.2012成立附屬研究所。
Shinsung晶振中文名稱為新松晶振,公司在1999年成立于韓國(guó),主要研發(fā)生產(chǎn)石英晶體,SMD振蕩器,溫補(bǔ)晶振,VCXO壓控晶振等元件.多年來(lái)一直以追求質(zhì)量,為客戶提供高品質(zhì)的SHINSUNG晶振產(chǎn)品和一流的服務(wù)為經(jīng)營(yíng)理念,在追求質(zhì)量與價(jià)格的同時(shí),致力于把每一款晶振產(chǎn)品打磨到極致,吸收到無(wú)數(shù)的行家,對(duì)其的稱贊,同時(shí)也獲得無(wú)數(shù)的訂單,使得新松晶振的名氣大漲,成為韓國(guó)知名頻率元件制造商.Shinsung晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振.

type		3.3V	2.5V	1.8V	REMARKS
frequency range		0.75 ~ 75.0MHz	0.75 ~ 75.0MHz	1.0 ~ 60.0MHz
frequency stability		± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )
supply voltage V DD		3.3V ± 10%	2.5V ± 5%	1.8V ± 5%
input current (15pF load)	1.0 ~ 20.0MHz	7 mA max	5 mA max	2 mA max
	20.1 ~ 40.0MHz	13 mA max	9 mA max	3.5 mA max
	40.1 ~ 60.0MHz	19 mA max	11 mA max	6 mA max
	60.1 ~ 75.0MHz	24 mA max	14 mA max
operating temperature		STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃
storage temperature		-55℃ ~ 125℃
aging		±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
phase jitter 12kHz ~ 20MHz		< 1.0ps RMS
output	load	15pF max (HCMOS)
	logic level	low 10% Vcc max / high 90% Vcc min
	symmetry	55/45 @ 50% V DD
	rise / fall time	10 nS MAX / 10% VDD to 90% level
start up time		10 mS MAX
Tristate		enable : 0.7 V DD (min) / disable : 0.3 V DD (max)

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：
  石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷封裝晶振(陶瓷晶振)和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開(kāi)裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。Shinsung晶振,SXO-22晶振,SXO-22-33ST-30F3-20.000MHz晶振.

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